智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅_SiC的电动汽车
当前 ， 新型快速开关的碳化硅（SiC）功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应 ， SiC器件的一系列特性 ， 如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能 ， 使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展 ， 同时推动SiC器件的价格持续下降 。然而 ， 在大功率应用中采用SiC还存在一些重要的制约因素 ， 包括经过良好优化的功率模块的可获得性 ， 还有设计高可靠门级驱动的学习曲线 。智能功率模块（IPM）通过提供高度集成、即插即用的解决方案 ， 可以加速产品上市并节省工程资源 ， 从而能够有效地应对上述两项挑战 。
本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块（IPM）体系所带来的益处 ， 尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列 。该体系利用了低内耗技术 ， 提供了一种已整合的解决方案 ， 即IPM；IPM由门极驱动电路和三相全桥水冷式碳化硅功率模块组成 ， 两者的配合已经过优化和协调 。本文不仅介绍了IPM的电气和散热特性 ， 还讨论了IPM如何实现SiC器件优势的充分利用 ， 及其中最为关键的因素 ， 即使门极驱动器设计及SiC 功率电路驱动安全、可靠地实现 。
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