当所有一切都集成在芯片上,那么大家都省心~
开关稳压器可以采用单片结构,也可以通过控制器构建 。在单片式开关稳压器中,各功率开关(一般是MOSFET)会集成在单个硅芯片中 。使用控制器构建时,除了控制器IC,还必须单独选择半导体和确定其位置 。选择MOSFET非常耗费时间,且需要对开关的参数有一定了解 。使用单片式设计时,设计人员无需处理这些问题 。
此外,相比高度集成的解决方案,控制器解决方案通常会占用更多的电路板空间 。所以,毫不意外多年来人们越来越多地采用单片式开关稳压器,如今,即使对于更高功率,也有大量的解决方案可供选择 。图1左侧是单片式降压转换器,右侧是控制器解决方案 。
但是,除了这些熟知的单片式解决方案的有利和不利因素之外,还有一个因素容易忽略 。在开关稳压器中,所谓的热回路是实现低辐射的决定因素 。在所有开关稳压器中,应尽量优化EMC 。实现优化的基本原则之一是:最小化各个热回路中的寄生电感 。在降压转换器中,输入电容和高压侧开关之间的路径,高压侧开关和低压侧开关之间的连接,以及低压侧开关和输入电容之间的连接都是热回路的一部分 。它们都是电流路径,其中的电流随开关切换的速度而变化 。通过快速的电流变化,因寄生电感形成电压偏移,可以作为干扰耦合到不同的电路部分 。
所以,这些热回路中的寄生电感必须保持尽可能低 。图2用红色标出各热回路路径,左侧为单片式开关稳压器,右侧为控制器解决方案 。我们可以看到,单片式解决方案具有两大优势 。一,其热回路比控制器解决方案的热回路小 。二,高压侧开关和低压侧开关之间的连接路径非常短,且只在硅芯片上完成走线 。两者相比,对于带控制器IC的解决方案,连接的电流路径必须通过封装的寄生电感布线,通常采用的键合线和引线框架具有寄生电感 。这会导致更高的电压偏置,以及更差的EMC性能 。
结论
因此,单片式开关稳压器具备额外的,少为人知的EMI优势 。这种干扰有多强,对电路有什么影响,具体取决于许多其他参数 。但是,就EMC性能而言,单片式开关稳压器和带控制器IC的解决方案之间存在差异,这一点值得考虑 。
原文转自亚德诺半导体
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