我国在金刚石芯片领域取得新进展
21世纪初 , 以金刚石、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为主的第三代半导体材料进入大众的视野 , 其中金刚石更是凭借其特有的性质成为备受关注的芯片材料 , 甚至被业界评为“终极半导体材料” 。
据IT之家1月11日报道 , 哈尔滨工业大学的韩杰才院士团队在通过与香港城市大学、麻省理工学院等单位合作后 , 在金刚石芯片领域取得了新进展 。
据报道 , 韩杰才院士带领的团队首次通过纳米力学新方法 , 从根本上改变金刚石复杂的能带结构 , 为实现下一代金刚石基微电子芯片提供了全新的方法 。
但目前该技术仍具备一定的局限性 。据报道 , 金刚石芯片虽然比硅芯片更强、更耐抗 , 但在迄今为止的实验中 , 由于金刚石分子结构保持较强的独立性 , 无法对电流产生有效影响 , 所以在实际应用上还存在不少难题 。
不过 , 当前中国团队全新科研成果的发布 , 正有力地推进这一难题的攻关 。要知道 , 一旦金刚石芯片研发成功 , 也将有力推动芯片国产化 , 并有望攻克美国“卡脖子”难题 。
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【我国在金刚石芯片领域取得新进展】作为具有巨大发展潜力的顶尖行业 , 半导体行业正获国家以及国内企业的大力倾注 。当前 , 我国已宣布为芯片行业提供10年的免税保护期;同时 , 我国官方还定下了一个目标:到2025年 , 芯片自给率达到70% 。在此背景下 , 据统计 , 当前我国入局半导体行业的企业数量已超过24万家 。
原文标题:芯片国产化再传好消息!中国这一领域又获新突破 , 望打破美国垄断
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责任编辑:haq
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